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PNAS:华东师大研究团队在反铁磁领域发现普适理论!

文章来源:大学排名

对半导体性的双层A-type反铁磁(层内铁磁,层间反铁磁)施加垂直方向的电场得到100%自旋极化的half-metallicity性质是一个普适理论,这个发现让研究团队无比惊喜,也让审稿人无比激动,在审稿评论中多处提到:“I am excited to read it!” “The idea is simple, clever, and general!

华东师大信息科学技术学院褚君浩院士团队近期在二维反铁磁领域取得重要突破:在二维A-type反铁磁中提出了实现half metal (100%自旋极化)的普适理论,设计出新型二维自旋场效应晶体管模型,被认为是反铁磁应用的重要进展。

图片.png该研究以“Electrically induced 2D half-metallic antiferromagnets and spin field effect transistors”为题发表在《美国科学院院报》(PNAS)。这项研究与加州大学伯克利分校Xiang Zhang院士(现香港大学校长)合作完成,华东师范大学为第一完成单位,龚士静副研究员为第一作者,Xiang Zhang 院士为共同通讯作者。